2SC3838Q

更新时间： 2024-09-29 04:26:03

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WEITRON		晶体放大器晶体管
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描述
High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon

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2SC3838Q 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC3838Q 数据手册

2SC3838Q

COLLECTOR

High-Frequency Amplifier Transistor

NPN Silicon

BASE

EMITTER

SC-59

MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

mAdc

CEO

3.0

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Value

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board⁽¹⁾

T_A=25 C

200

mW/ C

C/W

Derate above 25 C

1.6

625

Thermal Resistance, Junction Ambient

θJA

Junction and Storage, Temperature

Tstg

-55 to +150

Device Marking

2SC3838Q=R25

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Max

Characteristics

Symbol

Min

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage(I =1 mAdc, I =0)

Vdc

(BR)CEO

Collector-Base Breakdown Voltage(I =10 uAdc, I =0)

Vdc

(BR)CBO

Emitter-Base Breakdown Voltage(I =10 uAdc, I =0)

3.0

(BR)EBO

uAdc

0.5

Collector Cufoff Current(V =10Vdc, I =0)

CBO

EBO

Emitter Cufoff Current(V =2Vdc, I =0)

1. FR-5=1.0 0.75 0.062 in

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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