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2SC3838K

更新时间: 2024-06-13 09:03:11
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浩畅 - HC /
页数 文件大小 规格书
2页 771K
描述
SOT-23

2SC3838K 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.02
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:0.8 pF集电极-发射极最大电压:11 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):270
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3200 MHzBase Number Matches:1

2SC3838K 数据手册

 浏览型号2SC3838K的Datasheet PDF文件第2页 
2SC3838K  
High-Frequency Amplifier Transistor  
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors  
格 承  
客户确认:  
公司签章:  
部门 工程部 品保部  
采购部  
签名  
日期  

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