2SC3834G

更新时间： 2024-01-28 17:38:44

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2SC3834G 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3834

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 0.5V(Max)@ I_C=3A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V (Min)

·Good Linearity of h_FE

APPLICATIONS

·Designed for use in humidifier , DC/DC converter and

general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

200

120

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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