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2SC3834

更新时间： 2024-01-06 23:49:36
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三垦 - SANKEN 晶体转换器晶体管开关DC-DC转换器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose)

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2SC3834 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.85
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：50 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz

2SC3834 数据手册

  
2 S C3 8 3 4  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor)  
Application : Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions MT-25(TO220)  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SC3834  
2SC3834  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
Symbol  
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.2  
10.2  
±0.1  
2.0  
ICBO  
100max  
100max  
120min  
70 to 220  
0.5max  
1.2max  
30typ  
VCB=200V  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
200  
V
IEBO  
VEB=8V  
120  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=50mA  
8
V
±0.2  
ø3.75  
a
VCE=4V, IC=3A  
IC=3A, IB=0.3A  
IC=3A, IB=0.3A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
7(Pulse14)  
3
A
b
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
IB  
A
PC  
1.35  
50(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
Tj  
+0.2  
COB  
0.65  
-0.1  
110typ  
Tstg  
–55 to +150  
2.5  
2.5  
1.4  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C E  
Weight : Approx 2.6g  
a. Type No.  
RL  
(Ω)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tf  
(µs)  
VCC  
(V)  
IC  
(A)  
tstg  
(µs)  
b. Lot No.  
16.7  
10  
–5  
0.3  
–0.6  
0.5max  
0.5max  
50  
3
3.0max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
2.6  
7
6
5
4
3
2
7
6
5
4
3
2
1
2
1
0
IB=10mA  
1
0
0
0
1
2
3
4
0.005 0.01  
0.05  
0.1  
0.5  
1
0
0.5  
1.0 1.1  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
4
1
200  
100  
50  
300  
Typ  
100  
50  
0.5  
0.3  
20  
0.01  
20  
0.02  
1
10  
100  
1000  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
7
0.1  
0.5  
1
5
7
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
50  
20  
10  
5
30  
20  
40  
30  
20  
10  
1
0.5  
10  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
Without Heatsink  
2
0
0.05  
0
–0.01  
5
10  
50  
120  
200  
–0.05 –0.1  
–0.5 –1  
–5  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
74  
1

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