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2SC3762

更新时间： 2024-11-01 06:16:27

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3762 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC3762 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3762

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High speed switching

·High current capability

APPLICATIONS

·For use in high speed and power

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

MAX

150

100

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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