2SC3749

更新时间： 2024-09-13 06:16:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	225K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC3749 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3749

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 500V(Min.)

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

800

500

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_J

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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