Datasheet > 2SC3736-OL

2SC3736-OL

更新时间： 2024-01-09 20:24:42

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	161K
描述
1A, 45V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, MINI MOLD PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3736-OL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	380 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3736-OL 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3736

HIGH SPEED SWITCHING

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

POWER MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The 2SC3736 is designed for power amplifier and high speed

switching applications.

4.5 ±±.1

1.6 ±±.ꢀ

1.5 ±±.1

FEATURES

• High speed, high voltage switching

• Low collector saturation voltage

• Complementary to the 2SA1460 PNP transistor.

ꢀ

±.4ꢀ

±±.±6

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

±.47

±±.±6

+±.±3

–±.±5

±.41

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

IC(pulse)

5.0

1.0

2.0

°C

1.5 TYP.

3.± TYP.

1: Emitter

ꢀ: Collecter (Fin)

3: Base

Collector Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation ^Note2

Junction Temperature

2.0

150

T^j

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Notes 1. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

2. Mounted on ceramic substrate of 16 cm²x 0.7 mm

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D17148EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark shows major revised points.

(Previous No. TC-1891A)

Date Published May 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

1987

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与2SC3736-OL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3736OL-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SC3736OL-AZ	RENESAS	获取价格	1000mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SC3736OL-T1	RENESAS	获取价格	1000mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SC3736OL-T1-AZ	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI
2SC3736OL-T2	RENESAS	获取价格	1000mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SC3736OL-T2-AZ	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI
2SC3736-T1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243
2SC3736-T2	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243
2SC3736-T2-AZ	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI
2SC3736-T2OK	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL

与2SC3736-OL相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

8
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3736-OL

2SC3736-OL 技术参数

2SC3736-OL 数据手册

与2SC3736-OL相关器件

与2SC3736-OL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3736-OL

2SC3736-OL 技术参数

2SC3736-OL 数据手册

与2SC3736-OL相关器件

与2SC3736-OL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？