2SC3663

更新时间： 2024-11-26 22:52:43

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

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2SC3663 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	0.005 A
基于收集器的最大容量：	0.6 pF	集电极-发射极最大电压：	8 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4000 MHz

2SC3663 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3663

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

•

Low-voltage, low-current, low-noise and high-gain

2.8 ± 0.2

1.5

NF = 3.0 dB TYP.

G^A= 3.5 dB TYP.

@VCE = 1 V, IC = 250 PA, f = 1.0 GHz

@V^CE= 1 V, I^C= 250 PA, f = 1.0 GHz

0.65⁺^–0⁰^.^.¹¹⁵

•

Ideal for battery drive of pagers, compact radio equipment,

cordless phones, etc.

•

Gold electrode gives high reliability.

Mini mold package, ideal for hybrid ICs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 qC)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

RATING

UNIT

Marking

PIN CONNECTIONS

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

E: Emitter

B: Base

C: Collector

T^j

150

T^stg

ð65 to +150

Marking: R62

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 qC)

PARAMETER

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

I^CBO

TEST CONDITIONS

V^CB= 5 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

I^EBO

V^EB= 1 V, I^C= 0

0.1

h^FE

V^CE= 1 V, I^C= 250 PA, pulse

V^CE= 1 V, I^C= 1 mA

100

250

Gain Bandwidth Product

Insertion Power Gain

Maximum Available Gain

Noise Figure

f^T

GHz

°S^21e°

V^CE= 1 V, I^C= 1 mA, f = 1 GHz

V^CE= 1 V, I^C= 250 PA, f = 1.0 GHz

4.0

6.5

12.5

3.0

3.5

0.4

MAG

G^A

4.5

0.6

Associated Power Gain

Collector Capacitance

ob^Note

= 1 V, I = 0, f = 1.0 MHz

Note Measured using 3-pin bridge, with emitter pin connected to the bridge guard pin.

Document No. P10406EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1997 N

Printed in Japan

1997

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC3663-P	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.005A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
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