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2SC3632-ZL

更新时间： 2024-11-20 20:12:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	821K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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2SC3632-ZL 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3632-ZL 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SC3632-Z

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

<R>

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in

Hybrid Integrated Circuits.

6.5 ±0.2

5.0 ±0.2

4.4 ±0.2

2.3 ±0.2

0.5 ±0.1

Note

FEATURES

Note

• High Voltage VCEO = 600 V

• High Speed t^f< 0.5 μs

• Complement to 2SA1413-Z

2 3

0.5 ±0.1

2.3 ±0.3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

0.5 ±0.1

2.3 ±0.3

0.15 ±0.15

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

IC(pulse)

600

1. Base

2. Collector

3. Emitter

Collector Current (DC)

TO-252 (MP-3Z)

Collector Current (pulse) ^{Note 1}

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^{Note 2}

Junction Temperature

2.0

4. Collector Fin

°C

Note The depth of notch at the top of the fin is

T^j

150

from 0 to 0.2 mm.

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Notes 1. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

2. When mounted on ceramic substrate of 7.5 cm²× 0.7 mm

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18267EJ3V0DS00 (3rd edition)

(Previous No. TC-1665A)

Date Published July 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

1985, 2006

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3632-Z-L	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SC3632-ZL-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252
2SC3632-ZL-E1	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, MP-3, 3 PIN
2SC3632-ZL-E2	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, MP-3, 3 PIN
2SC3632-ZL-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252AA
2SC3632-ZM	RENESAS	获取价格	1A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
2SC3632-Z-M	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SC3632-ZM-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252
2SC3632-ZM-E1	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, MP-3, 3 PIN
2SC3632-ZM-E2	NEC	获取价格	暂无描述

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