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RECTRON | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 1882K | ![]() |
描述 | ||
Package / Case : TO-251;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 2 W;Transistor Polarity : NPN;VCEO : 600 V;VCBO : 600 V;VEBO : 7 V;Max Collector Current : 1.0 A;DC Collector/Base Gain hfe Min : 5;DC Current Gain hFE Max : 120 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC3632-AZ | RENESAS |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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2SC3632K | ETC |
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BJT |
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2SC3632L | ETC |
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BJT |
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2SC3632M | ETC |
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BJT |
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2SC3632Z | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
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2SC3632Z | RECTRON |
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Package / Case : TO-252(D-PAK);Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 2 W;Transistor |
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2SC3632-Z | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
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2SC3632-Z | RENESAS |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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2SC3632-Z | KEXIN |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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2SC3632-Z | TYSEMI |
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High voltage VCEO=600V High speed tf 0.5ìs C |
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