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晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器局域网 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 93K |  |
| 描述 | ||
| NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 17 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 最小功率增益 (Gp)： | 5.7 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3631 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SC3631-AZ | RENESAS |
获取价格 |
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR |
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| 2SC3631K | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC3631L | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC3631-Z | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SC3631-Z | RENESAS |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SC3631-Z-AZ | RENESAS |
获取价格 |
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR |
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| 2SC3631-Z-E1 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, MP-3, 3 PIN |
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| 2SC3631-Z-E2 | NEC |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN |
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| 2SC3631-Z-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252AA |
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