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2SC3519Y

更新时间： 2024-11-26 19:50:55
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-100, TO-3P, 3 PIN

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2SC3519Y 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-3P包装说明：MT-100, TO-3P, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

2SC3519Y 数据手册

  
LAP T 2 S C3 5 1 9 /3 5 1 9 A  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1386/A)  
Application : Audio and General Purpose  
■Electrical Characteristics  
■
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
Ratings  
Ratings  
2SC3519  
Symbol  
Unit  
Symbol  
Conditions  
Unit  
2SC3519 2SC3519A  
2SC3519A  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
±0.1  
2.0  
160  
160  
180  
180  
V
V
100max  
9.6  
µA  
V
ICBO  
VCB=  
160  
180  
5
15  
4
V
IEBO  
VEB=5V  
100max  
µA  
a
±0.1  
ø3.2  
160min  
50min  
180min  
A
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
b
IB  
A
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=0.5A  
VCE=12V, IE=–2A  
VCB=10V, f=1MHz  
PC  
130(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
VCE(sat)  
fT  
2.0max  
50typ  
V
MHz  
pF  
2
3
Tj  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
Tstg  
–55 to +150  
COB  
250typ  
1.05  
0.65  
1.4  
hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
B
C
E
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
Weight : Approx 6.0g  
a. Part No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
VBB1  
(V)  
b. Lot No.  
40  
10  
–5  
1
–1  
0.2typ  
1.3typ  
4
10  
0.45typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
15  
15  
10  
3
2
10  
IC=10A  
1
5
5
0
50mA  
5A  
IB=20mA  
0
0
0
1
2
3
4
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3
300  
300  
125˚C  
100  
50  
100  
1
Typ  
25˚C  
–30˚C  
50  
0.5  
10  
0.02  
10  
0.02  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5
10 15  
0.1  
0.5  
1
5
10 15  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
40  
130  
100  
80  
60  
40  
20  
0
10  
5
Typ  
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.5  
50  
1.2SC3519  
2.2SC3519A  
0.1  
Without Heatsink  
1
2
3.5  
0
0.05  
5
10  
50  
100  
200  
–0.02  
–0.1  
–1  
–5 –10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
67  
1

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