2SC3519

更新时间： 2024-10-02 06:20:35

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描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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2SC3519 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2SC3519/A

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= 160V(Min)-2SC3519

= 180V(Min)-2SC3519A

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SA1386/A

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

160

180

160

180

UNIT

2SC3519

2SC3519A

2SC3519

2SC3519A

Collector-Base

V_CBO

Voltage

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

V_EBO

Emitter-Base Voltage

I_C

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

130

150

-55~150

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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