2SC3502

更新时间： 2024-01-21 20:08:37

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	108K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC3502 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.38
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3502 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3502

DESCRIPTION

·Collector–Emitter Breakdown Voltage—

: V_(BR)CEO= 200 V

·Complement to Type 2SA1380

APPLICATIONS

·Designed for ultrahigh-definition CRT display, video out-

put applicaitons

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

200

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

0.1

I_CM

0.2

Collector Power Dssipation

T_a=25℃

1.2

P_C

Collector Power Dssipation

T_C=25℃

Junction Temperature

150

-55~150

℃

T_i

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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