2SC3481

更新时间： 2024-01-13 11:41:16

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	95K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC3481 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	140 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3481 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3481

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

·High Reliability

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for high definition CRT display horizontal

deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

800

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Pulse

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

120

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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