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2SC3480

更新时间： 2024-01-04 12:42:45

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	91K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC3480 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC3480 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3480

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

·High Reliability

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for high definition CRT display horizontal

deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

800

UNIT

Collector Current- Continuous

3.5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3481	SANYO	获取价格	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR
2SC3481	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
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2SC3482	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
2SC3483	SANYO	获取价格	NPN Triple Diffused Planar Type Silicon Transistor
2SC3484	SANYO	获取价格	2SC3484
2SC3485	SANYO	获取价格	2SC3485
2SC3486	SANYO	获取价格	SILICON NPN TRANSISTOR
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