2SC3449

更新时间： 2024-02-26 20:31:03

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2页	231K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC3449 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	500 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	80 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	18 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3449 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3449

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 500V(Min)

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator and general purpose

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

VALUE

UNIT

800

500

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SC3449M	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 500V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-218VAR	获取价格
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