2SC3448

更新时间： 2024-09-26 06:20:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	231K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC3448 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3448

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 500V(Min)

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator and general purpose

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

VALUE

UNIT

800

500

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

1.5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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