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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3440-T12-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3440-T12-1F | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3440-T12-1G | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3441 | ISAHAYA |
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SILICON NPN EPTAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC3441_10 | ISAHAYA |
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FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC3443 | TYSEMI |
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High hFE=150 to 800. High collector current (Ic=2A). High collector dissipation Pc=500mW. |
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| 2SC3443 | ISAHAYA |
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FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC3443 | KEXIN |
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Small Signal Transistor |
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| 2SC3443 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 |
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| 2SC3443_15 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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