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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 79K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3441 | ISAHAYA |
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SILICON NPN EPTAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC3441_10 | ISAHAYA |
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FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC3443 | TYSEMI |
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High hFE=150 to 800. High collector current (Ic=2A). High collector dissipation Pc=500mW. |
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| 2SC3443 | ISAHAYA |
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FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC3443 | KEXIN |
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Small Signal Transistor |
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| 2SC3443 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 |
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| 2SC3443_15 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SC3443-13-1F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 |
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| 2SC3443BE | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SC3443BF | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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