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2SC3439-G

更新时间： 2022-02-26 11:32:35
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科信 - KEXIN /
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描述
NPN Transistors

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SMD Type  
Transistors  
NPN Transistors  
2SC3439  
1.70 0.1  
■ Features  
● High hFE : hFE=400 to 1800  
● High collector current  
● Low collector to emitter saturation voltage  
● High collector dissipation Pc=500mW  
0.42 0.1  
0.46 0.1  
● Small package for mounting  
● Complementary to 2SA1369  
1.Base  
2.Collector  
3.Emitter  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
V
25  
6
1.5  
Collector Current - Continuous  
Peak Collector Current  
IC  
A
mW  
℃
I
CM  
3
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
P
C
500  
T
J
150  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
30  
25  
6
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ic= 100uA， I  
Ic= 1mA， RBE= ∞  
= 100uA， I = 0  
CB= 20V , I = 0  
EB= 4V , I =0  
E= 0  
I
E
C
I
CBO  
EBO  
V
V
E
0.1  
0.1  
uA  
V
I
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=1A, I  
B
=20mA  
=20mA  
0.2  
0.5  
V
C
=1A, I  
B
1.2  
hFE  
V
V
V
CE= 6V, I  
C
= 500mA  
= 0,f=1MHz  
= 10mA  
400  
1800  
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
T
CB= 10V, I  
CE= 10V, I  
E
17  
pF  
f
C
130  
MHz  
■ Classification of hfe  
Type  
Range  
Marking  
2SC3439-G  
400-800  
HG  
2SC3439-H  
600-1200  
HH  
2SC3439-J  
900-1800  
HJ  
1
www.kexin.com.cn  
123

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