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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.27 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3360N17-T1B-A | NEC |
获取价格 |
100mA, 200V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
|
| 2SC3360N17-T2B-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236VAR |
|
| 2SC3360-T1B-A | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistors, MM, / |
|
| 2SC3360-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236VAR |
|
| 2SC3360-T2B-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236VAR |
|
| 2SC3361 | SANYO |
获取价格 |
High-Speed Switching Applications |
|
| 2SC3361 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors |
|
| 2SC3361 | TYSEMI |
获取价格 |
Fast switching speed. High breakdown voltage.Collector-base voltage VCBO 60 V |
|
| 2SC3361_15 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
|
| 2SC3361-4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23 |
|
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