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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.62 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3356-Q-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356Q-G | COMCHIP |
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General Purpose Transistor |
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| 2SC3356Q-T1B | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356R | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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| 2SC3356R | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC3356-R | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356R23 | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 |
|
| 2SC3356R23 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
|
| 2SC3356-R23 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356-R23 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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