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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.57 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSS64LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Driver Transistor |
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| BSS64LT1 | LRC |
功能相似 |
Driver Transistors(NPN Silicon) |
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| BSS64LT1 | ONSEMI |
功能相似 |
Driver Transistor(NPN Silicon) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3324_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications |
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| 2SC3324BL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
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| 2SC3324-BL | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications |
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| 2SC3324BLTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SC3324GR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
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| 2SC3324-GR | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications |
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| 2SC3324GRTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SC3324TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SC3324TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SC3325 | TYSEMI |
获取价格 |
Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA). |
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