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2SC3250

更新时间： 2022-12-20 23:15:20

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3250 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3250

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High V_CEO

·Large P_C

APPLICATIONS

·For TV video output amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

300

UNIT

Open base

300

Open collector

0.1

I_CP

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

P_C

T_C=25℃

℃

150

T_j

-55~150

T_stg

12 3

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