2SC3235

更新时间： 2024-02-06 17:21:25

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3235 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SC3235 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3235

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High voltage,high speed

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·For high voltage ,high speed and

high power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

500

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

400

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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