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2SC3072-A(2-7J1A)

更新时间： 2024-09-26 14:39:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 161K
描述
TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC3072-A(2-7J1A) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.83
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：140JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SC3072-A(2-7J1A) 数据手册

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2SC3072  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC3072  
Strobe Flash Applications  
Unit: mm  
Medium Power Amplifier Applications  
•
High DC current gain  
: h  
: h  
= 140 to 450 (V  
= 2 V, I = 0.5 A)  
FE  
FE  
CE C  
= 70 (min) (V  
= 2 V, I = 4 A)  
C
CE  
•
•
Low collector saturation voltage  
: V = 1.0 V (max) (I = 4 A, I = 0.1 A)  
CE (sat)  
C
B
High power dissipation  
: P = 10 W (Tc = 25°C), P = 1.0 W (Ta = 25°C)  
C
C
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
50  
40  
20  
8
CBO  
V
CES  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
V
V
JEDEC  
JEITA  
―
―
DC  
I
5
C
Collector current  
Base current  
A
TOSHIBA  
2-7J1A  
Pulse  
I
8
CP  
(Note 1)  
Weight: 0.36 g (typ.)  
I
0.5  
1.0  
A
B
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
10  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note 1: Pulse test: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2010-02-05  
1234

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与2SC3072-A(2-7J1A)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3072A(SM) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252AA
2SC3072B ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251AA
2SC3072-B TOSHIBA

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 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
2SC3072-B(2-7B2A) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur
2SC3072B(SM) TOSHIBA

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 		暂无描述
2SC3072C ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251AA
2SC3072-C TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
2SC3072C(SM) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252AA
2SC3073 TOSHIBA

获取价格

 		SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
2SC3074 TYSEMI

获取价格

 		Low collector saturation voltage. High speed switching time.

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