5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.48 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 800 |
| JEDEC-95代码： | TO-226 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3071 | SANYO |
获取价格 |
High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications |
|
| 2SC3071-AE | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226 |
|
| 2SC3071-AJ | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226 |
|
| 2SC3072 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SC3072 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SC3072 | TYSEMI |
获取价格 |
High DC current gain. Low collector saturation voltage. High power dissipation. |
|
| 2SC3072_05 | TOSHIBA |
获取价格 |
Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications |
|
| 2SC3072A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251AA |
|
| 2SC3072-A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
|
| 2SC3072-A(2-7B1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
