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2SC2983

更新时间: 2024-11-17 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 142K
描述
TRANSISTOR (POWER, DIRVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC2983 技术参数

生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.44
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:160 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):70JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2SC2983 数据手册

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