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2SC2982-C

更新时间： 2024-02-04 17:16:01
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 976K
描述
NPN Transistors

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2SC2982-C 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：1 W
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SC2982-C 数据手册

 浏览型号2SC2982-C的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
NPN Transistors  
2SC2982  
■ Features  
1.70 0.1  
● Low saturation voltage  
● Small flat package  
● P  
C = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)  
● Complementary to 2SA1314  
0.42 0.1  
0.46 0.1  
1.Base  
2.Collector  
3.Emitter  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
V
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
10  
6
Collector Current - Continuous  
I
C
2
4
A
mW  
℃
Collector Current - Pulse  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
(Note.1)  
Icp  
P
C
500  
T
J
150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
-55 to 150  
Note 1: Pulse test: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max)  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Ic= 1 mA， I = 0  
Ic= 10 mA，I = 0  
= 1mA， I = 0  
CB= 30 V , I = 0  
EB= 6V , I =0  
Min  
30  
10  
6
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector- Base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
E
B
I
E
C
I
CBO  
EBO  
V
V
E
0.1  
0.1  
0.5  
1.2  
1.5  
600  
uA  
V
I
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
Base - emitter voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=2A, I  
B
B
=50mA  
=50mA  
0.2  
V
C=2A, I  
V
BE  
V
V
V
V
V
CE= 1V, I  
CE= 1V, I  
CE= 1V, I  
C
C
C
= 2A  
0.86  
= 0.5A  
= 2A  
140  
70  
DC current gain  
hFE  
140  
27  
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
T
CB= 10V, I  
E
=0,f=1MHz  
pF  
f
CE= 1V, I = 0.5A  
C
150  
MHz  
■ Classification of hfe(1)  
Type  
Range  
Marking  
2SC2982-A  
140-240  
SA*  
2SC2982-B  
200-330  
SB*  
2SC2982-C  
300-450  
SC*  
2SC2982-D  
420-600  
SD*  
1
www.kexin.com.cn  
12

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