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2SC2982-A

更新时间： 2024-09-30 20:06:39

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	165K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5K1A, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC2982-A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	140	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	1 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SC2982-A 数据手册

2SC2982

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

2SC2982

Storobo Flash Applications

Unit: mm

Medium Power Amplifier Applications

•

High DC current gain and excellent linearity

: h

= 140 to 600 (V

= 1 V, I = 0.5 A)

FE (1)

FE (2)

CE C

: h

= 70 (min), 140 (typ.), (V

= 1 V, I = 2 A)

Low saturation voltage

: V = 0.5 V (max) (I = 2 A, I = 50 mA)

CE (sat)

•

Small flat package

= 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)

Complementary to 2SA1314

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CES

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

JEDEC

JEITA

―

SC-62

2-5K1A

TOSHIBA

Collector current

Weight: 0.05 g (typ.)

Pulse (Note 1)

0.4

0.8

500

Base current

Pulse (Note 1)

Collector power dissipation

1000

(Note 2)

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note 1: Pulse test: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max)

Note 2: 2SC2982 mounted on a ceramic substrate (250 mm²× 0.8 t)

Note 3: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2009-12-21

12 3 4

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