2SC2954

更新时间： 2024-01-10 01:04:22

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器
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5页	242K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

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2SC2954 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.44
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	基于收集器的最大容量：	1.8 pF
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4000 MHz

2SC2954 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

2SC2954

DESCRIPTION

·Low Noise and High Gain

NF = 2.3 dB TYP. ; ︱S_21e︱²= 20 dB TYP.

@ f = 200 MHz

NF = 2.4 dB TYP. ; ︱S_21e︱²= 12.5 dB TYP.

@ f = 500 MHz

APPLICATIONS

·Designed for low noise wide band amplifier and buffer

amplifier of OSC, for VHF and CATV band.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

3.0

Collector Current-Continuous

0.15

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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