2SC2923

更新时间： 2024-01-09 20:09:12

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	109K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2923 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.85	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-202	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2923 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2923

DESCRIPTION

·With TO-202 package

·High V_CEO

·Low C_OB

APPLICATIONS

·For color TV chroma output applications

PINNING(See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

300

UNIT

Open base

Open collector

0.1

I_CM

Collector current-peak

0.2

T_a=25℃

T_C=25℃

1.4

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2924	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-252
2SC2925	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification0
2SC2925R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| TO-226AA
2SC2925S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| TO-226AA
2SC2925T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| TO-226AA
2SC2926	ETC	获取价格
2SC2926/N	ROHM	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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2SC2926/P	ROHM	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC2926/PQ	ROHM	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili