2SC2921O

更新时间： 2024-01-12 02:57:30

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管放大器局域网
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT200, 3 PIN

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2SC2921O 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.39
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2921O 数据手册

LAP T 2 S C2 9 2 1

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1215)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-200

(Ta=25°C)

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Symbol

I^CBO

2SC2921

Conditions

V^CB=160V

Unit

µA

Unit

±0.2

6.0

±0.3

36.4

24.4

100max

160min

50min

160

±0.2

2.1

IEBO

160

V^EB=5V

±0.1

2-ø3.2

V(BR)CEO

hFE

I^C=25mA

V^CE=4V, IC=5A

I^C=5A, IB=0.5A

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

2.0max

60typ

MHz

150(Tc=25°C)

150

°C

COB

200typ

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

Tstg

–55 to +150

h^FERank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

1.05

+0.3

-0.1

3.0

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 18.4g

a. Type No.

b. Lot No.

V^CC

(V)

V^B2

(V)

IB1

IB2

ton

tstg

I^C

(Ω)

(mA)

(µs)

(A)

–5

500

–500

0.2typ

1.5typ

0.35typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

IC=10A

I^B=20mA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

200

125˚C

Typ

100

25˚C

0.5

–30˚C

0.02

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 15

0.1

0.5

10 15

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

160

Typ

120

Without Heatsink

Natural Cooling

0.5

0.3

Without Heatsink

–0.02

–0.1

–1

–10

100

200

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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2SC2921P	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC2921Y	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC2921Y	ISC	获取价格	Transistor
2SC2921Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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