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2SC2910S

更新时间： 2024-01-04 21:31:29

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其他 - ETC		晶体晶体管开关
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4页	126K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| TO-92VAR

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2SC2910S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2SC2910S 数据手册

Ordering number:EN781F

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

2SA1208/2SC2910

High-Voltage Switching

Audio 80W Output Predriver Applications

Features

Package Dimensions

unit:mm

· Adoption of FBET process.

· High breakdown voltage.

2006A

· Excellent linearity of h and small C .

· Fast swtching speed.

[2SA1208/2SC2910]

B:Base

EIAJ:SC-51

SANYO:MP

( ) : 2SA1208

C:Collector

E:Emitter

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

(–)180

(–)160

(–)5

CBO

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

CEO

EBO

(–)70

(–)140

900

˚C

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

Tstg

–55 to +150

˚C

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

Collector Cutoff Current

=(–)80V, I =0

=(–)4V, I =0

=(–)5V, I =(–)10mA

=(–)10V, I =(–)10mA

(–)0.1

400*

µA

CBO

Emitter Cutoff Current

EBO

DC Current Gain

100*

Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

150

MHz

=(–)10V, f=1MHz

(2.5)2.0

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

=(–)30mA, I =(–)3mA

0.08

(–0.14)

0.3

(–0.4)

CE(sat)

Turn-ON Time

Fall Time

See specified Test Circuit

0.1

0.2

1.0

µs

Storage Time

stg

* : The 2SA1208/2SC2910 are classified by 10mA h are follows :

Switching Time Test Circuit

100

200

140

280

200

400

I =10I =–10I =10mA (For PNP, the polarity is reversed)

Unit (resistance : Ω, capacitance : F)

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

71598HA (KT)/8270MH/6080MO/3187AT/3125KI/0193KI, TS(KOTO) No.781-1/4

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与2SC2910S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2910S-AE	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,70MA I(C),TO-92VAR	获取价格
2SC2910T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| TO-92VAR	获取价格
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2SC2911R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 140MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SC2911S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 140MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SC2911T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 140MA I(C) \| TO-126	获取价格