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2SC2869

更新时间: 2024-11-03 21:54:47
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日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 554K
描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

2SC2869 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.08 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-PRDB-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.4 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8000 MHz
Base Number Matches:1

2SC2869 数据手册

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