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2SC2837O

更新时间： 2024-11-21 20:10:47
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN /
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-100, TO-3P, 3 PIN

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2SC2837O 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：MT-100, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.4最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：70 MHz
Base Number Matches：1

2SC2837O 数据手册

  
LAP T 2 S C2 8 3 7  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1186)  
Application : Audio and General Purpose  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
Symbol  
Ratings  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
100max  
100max  
150min  
50min  
Unit  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
ICBO  
VCB=150V  
±0.1  
150  
V
2.0  
9.6  
IEBO  
VEB=5V  
150  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
5
V
a
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=3V  
IC=5A, IB=0.5A  
VCE=12V, IE=–1A  
VCB=80V, f=1MHz  
10  
2
A
b
IB  
VCE(sat)  
fT  
2.0max  
70typ  
V
MHz  
pF  
A
PC  
100(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
3
Tj  
COB  
60typ  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
Tstg  
–55 to +150  
1.05  
0.65  
1.4  
hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.0g  
a. Part No.  
b. Lot No.  
60  
12  
5
–5  
500  
–500  
0.2typ  
1.4typ  
0.35typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
10  
10  
8
3
8
6
4
2
0
2
6
4
2
0
IC=10A  
1
IB=20mA  
5A  
0
0
1
2
3
4
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3
200  
200  
100  
50  
125˚C  
Typ  
25˚C  
–30˚C  
100  
1
50  
0.5  
20  
0.02  
20  
0.02  
0.2  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
1
10  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
100  
120  
100  
80  
30  
10  
5
Typ  
60  
50  
40  
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.5  
20  
0
Without Heatsink  
3.5  
0
0.2  
2
10  
100  
200  
–0.02  
–0.1  
–1  
–6  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
60  
1

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