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2SC2802-T1M

更新时间： 2024-02-15 04:27:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN

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2SC2802-T1M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	2 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	1.5 V

2SC2802-T1M 数据手册

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与2SC2802-T1M相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2802-T2	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI	获取价格
2SC2802-T2K	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI	获取价格
2SC2802-T2L	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI	获取价格
2SC2804	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| MICRO-X	获取价格
2SC2805	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| MICRO-X	获取价格
2SC2806	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| MICRO-X	获取价格

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