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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 3.2 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2715_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) |
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| 2SC2715M | CJ |
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TRANSISTOR |
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| 2SC2715MR | CJ |
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Transistor |
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| 2SC2715MY | CJ |
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Transistor |
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| 2SC2715O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-59 |
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| 2SC2715-O | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SC2715OTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Smal |
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| 2SC2715R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-59 |
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| 2SC2715-R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Genera |
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| 2SC2715TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Smal |
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