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2SC2712-O

更新时间： 2024-09-27 07:30:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 240K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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2SC2712-O 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.35Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SC2712-O 数据手册

 浏览型号2SC2712-O的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2712-O的Datasheet PDF文件第3页 
2SC2712-O  
2SC2712-Y  
2SC2712-GR  
2SC2712-BL  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Complementary to 2SA1162  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
•
·
·
SOT-23  
Maximum Ratings  
A
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
60  
5.0  
150  
Unit  
V
V
D
C
V
B
C
mA  
mW  
R
PC  
TJ  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
150  
-55 to +150  
E
B
F
E
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
H
G
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
K
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
MIN  
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
ON CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
B
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
V
C
D
E
50  
---  
---  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
hF  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µA, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µA, IC=0)  
V
V
F
60  
5.0  
70  
---  
---  
---  
---  
---  
G
H
J
.085  
.37  
K
DC Current Gain*  
---  
700  
0.25  
3.5  
---  
---  
(IC=2mAdc, VCE=6.0Vdc)  
Collector Saturation Voltage*  
(IC=-100mAdc, IB=10mAdc)  
Output Capacitance  
(VCB=10V, IE=0, f=1MHz)  
Gain Bandwidth product  
(VCE=10Vdc, IC=1mAdc)  
Noise Figure  
Suggested Solder  
Pad Layout  
VCE(sat)  
Cob  
fT  
0.1  
2.0  
---  
V
.031  
.800  
---  
pF  
.035  
.900  
80  
MHz  
NF  
.079  
2.000  
inches  
mm  
V
CE=6V, IC=0.1mA, f=1KHz, Rg=10K  
---  
1.0  
10  
=)  
dB  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
O
70-140  
LO  
Y
120-240  
LY  
GR  
200-400  
LG  
BL  
350-700  
LL  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与2SC2712-O相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2712-O(TE85L,F) TOSHIBA

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 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2712-O-AE3-R UTC

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 		AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR
2SC2712-O-AL3-R UTC

获取价格

 		Transistor
2SC2712-O-HF KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SC2712O-T RECTRON

获取价格

 		Transistor
2SC2712OTE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC2712-OTE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC2712OTE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC2712-OTE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC2712-O-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C

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