2SC2659

更新时间： 2024-09-18 06:16:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	192K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC2659 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC2659

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 500V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for high speed power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

800

500

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

120

150

-55~150

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

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