2SC2632

更新时间： 2024-01-08 17:53:45

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	37K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)

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2SC2632 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	185	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2632 数据手册

Transistor

2SC2632

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency high breakdown voltage amplification

Complementary to 2SA1124

Unit: mm

5.9±0.2

4.9±0.2

Features

■

●

Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

●

High collector to emitter voltage V_CEO

Small collector output capacitance C_ob.

0.7±0.1

2.54±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

150

0.45^+–0.2¹

0.45⁺–0⁰.^.1²

150

1.27

1:Emitter

2:Collector

3:Base

EIAJ:SC–51

TO–92L Package

100

I_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

˚C

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= 100V, I_E= 0

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C= 0.1mA, I_B= 0

150

I_E= 10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 10mA

130

330

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 30mA, I_B= 3mA

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

V_CE= 10V, I_C= 1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

160

150

Collector output capacitance

C_ob

Noise voltage

300

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

130 ~ 220

185 ~ 330

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