2SC2631

更新时间： 2024-09-29 22:52:39

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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)

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2SC2631 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-XBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.89	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-XBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2631 数据手册

Transistor

2SC2631

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency high breakdown voltage amplification

Complementary to 2SA1123

Unit: mm

4.0±0.2

5.0±0.2

Features

■

●

Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

●

High collector to emitter voltage V_CEO

Small collector output capacitance C_ob.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

0.45–⁺0⁰.^.1²

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

150

1.27

1 2 3

1:Emitter

2:Collector

3:Base

JEDEC:TO–92

EIAJ:SC–43A

100

˚C

I_C

2.54±0.15

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

750

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

V_CB= 100V, I_E= 0

µA

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C= 0.1mA, I_B= 0

150

I_E= 10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 10mA

130

330

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 30mA, I_B= 3mA

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

V_CE= 10V, I_C= 1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

160

150

Collector output capacitance

C_ob

Noise voltage

300

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

130 ~ 220

185 ~ 330

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2SC2631 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SA720AR	PANASONIC	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SC1318A	SECOS	功能相似	NPN Plastic Encapsulated Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2631R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-226AA
2SC2631S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-226AA
2SC2632	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)
2SC2632	FOSHAN	获取价格	TO-92LM
2SC2632R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92VAR
2SC2632S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92VAR
2SC2633	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-220AB
2SC2633Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-220AB
2SC2633R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-220AB
2SC2633S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-220AB

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