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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC2618RDTR-E | RENESAS | 2SC2618RDTR-E |
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| 2SC2618RDUL | HITACHI | 500mA, 35V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2618RDUR | RENESAS | 500mA, 35V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2619 | TYSEMI | High frequency amplifier.Collector-base voltage VCBO 30 V |
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| 2SC2619 | KEXIN | Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC2619 | RENESAS | Silicon NPN Epitaxial |
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