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2SC2429

更新时间： 2024-11-13 06:18:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2429 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2429

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage ,high speed

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·High speed switching

·Converters and inverters

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

MAX

450

400

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

175

-65~175

℃

T_j

T_stg

12 3

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