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2SC2412S

更新时间： 2024-10-01 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
3页	226K
描述
Transistor

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2SC2412S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	270	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2412S 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

2SC2412 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

· Low C_ob,C_ob= 2.0 pF (Typ).

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MARKING : BQ, BR, BS

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

150

200

150

-55-150

℃

P_C

T_J

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=50μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=50μA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=60V,I_E=0

0.1

560

0.4

μA

Emitter cut-off current

V_EB=7V,I_C=0

DC current gain

V_CE=6V,I_C=1mA

120

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

I_C=50mA,I_B=5mA

V_CE=12V,I_C=-2mA,f=100MHz

V_CB=12V,I_E=0,f=1MHz

160

MHz

Collector output capacitance

C_ob

2.0

3.5

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

120 - 270

180 - 390

270 - 560

Range

Marking

12 3

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2SC2412-S-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC2412-S-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
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