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2SC2316

更新时间： 2024-02-29 11:05:40

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	77K
描述
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA

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2SC2316 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2316 数据手册

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与2SC2316相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2318	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 350MA I(C) \| TO-33	获取价格
2SC2320	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, NPN, Silicon, SC-43, 3 PIN	获取价格
2SC2320L	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, NPN, Silicon, SC-43, 3 PIN	获取价格
2SC2320L-11-F	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	获取价格
2SC2320L-11-G	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	获取价格
2SC2320L-T11-F	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	获取价格

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