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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.46 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2314D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
|
| 2SC2314E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
|
| 2SC2314F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
|
| 2SC2315 | SANKEN |
获取价格 |
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA |
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| 2SC2315 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Mesa |
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| 2SC2316 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Mesa |
|
| 2SC2316 | SANKEN |
获取价格 |
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA |
|
| 2SC2318 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350MA I(C) | TO-33 |
|
| 2SC2320 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, NPN, Silicon, SC-43, 3 PIN |
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| 2SC2320L | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, NPN, Silicon, SC-43, 3 PIN |
|
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