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2SC2307_2014

更新时间： 2024-09-24 01:17:55

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2307_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2307

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High voltage ,high speed

APPLICATIONS

·For power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

MAX

500

UNIT

Open emitter

Open base

400

Open collector

Collector current (DC)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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