2SC2230-GR

更新时间： 2024-11-19 13:04:15

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号双极晶体管放大器 PC
页数	文件大小	规格书
5页	133K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC2230-GR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	7 pF
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SC2230-GR 数据手册

2SC2230,2SC2230A

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)

2SC2230,2SC2230A

High-Voltage General Amplifier Applications

Unit: mm

Color TV Class-B Sound Output Applications

•

High breakdown voltage: V

= 180 V (2SC2230A)

CEO

High DC current gain

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

200

160

2SC2230

Collector-emitter

voltage

2SC2230A

180

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

800

JEDEC

JEITA

TO-92MOD

150

―

Storage temperature range

stg

−55 to 150

°C

TOSHIBA

2-5J1A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

Weight: 0.36 g (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

2006-11-09

12 3 4 5

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与2SC2230-GR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2230GR-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC2230-GRTPE6	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SC2230TPE6	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SC2230Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92VAR
2SC2230-Y	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3
2SC2230-YTPE6	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SC2231	TOSHIBA	获取价格	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS)
2SC2231A	TOSHIBA	获取价格	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS)
2SC2233	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SC2233	MOSPEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR(for TV horizontal deflection output applications)

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